¡Contamos con una nueva publicación en la revista “Solar Energy Materials and Solar Cells”!

El estudio que tiene por título “Wide-bandgap III-V materials for high efficiency air and underwater optical photovoltaic power transmission” ya está disponible a través del siguiente enlace para ser leído. https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112662

Un trabajo muy interesante sobre la transmisión óptica de alta potencia (HPOT) y los convertidores fotovoltaicos ópticos (OPC).

Resumen:

“La transmisión óptica de alta potencia (HPOT) permite la transferencia ininterrumpida de energía del orden de cientos de vatios a lo largo de varios kilómetros, liberando a los sistemas de energía de las limitaciones tradicionales del cableado. Su enorme versatilidad de aplicaciones abarca desde las profundidades oceánicas hasta el espacio exterior. En los últimos años, se ha hecho especial hincapié en el desarrollo de métodos eficaces para transferir a la Tierra cantidades sustanciales de energía desde las futuras centrales solares espaciales, que pretenden generar energía limpia las 24 horas del día, los 7 días de la semana. A pesar del inmenso potencial de la HPOT, deben emprenderse nuevos esfuerzos para mejorar la eficiencia global del sistema, actualmente por debajo del 20%. Un factor que contribuye a este rendimiento insatisfactorio es la selección del estado del arte de los semiconductores que constituyen los receptores de la luz monocromática: los convertidores fotovoltaicos ópticos (OPC). Por ello, este trabajo pretende identificar los materiales semiconductores más adecuados para transmisiones de alta potencia (~100 Wcm- 2) y superiores en entornos terrestres y submarinos. Además, se proporciona el primer modelo analítico capaz de evaluar, predecir y diseñar OPCs y sus características eléctricas. Los resultados indican que los semiconductores III-V de banda prohibida ancha (≈2,5 eV), como InGaN e InAlN, podrían aportar mejoras significativas de eficiencia en el aire y, especialmente, en dominios subacuáticos con respecto a los dispositivos existentes basados en GaAs.”

Enhorabuena Pablo Sanmartín, Florencia Almonacid, Maria A. Ceballos, Antonio García-Loureiro y Eduardo F. Fernández

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